Information
© Contenu diffusé sous le régime du droit d'auteur français.
Tous droits réservés
Tous droits réservés
Partager
URL :
Sélectionnez puis faites CTRL-C pour copier l'URL ci-dessus
Intégrez cette vidéo sur votre site :
Sélectionnez puis faites CTRL-C pour copier l'URL ci-dessus
Partagez cet instant :
Sélectionnez puis faites CTRL-C pour copier l'URL ci-dessus
Contenu
2) La jonction PN – la diode
2.5) Dopage d’un S.C
Lorsqu’il y a apport d’énergie on casse des liaisons de valence des e- libres dans la bde de conduction et des trous dans la bde de valence. Les concentrations (n et p) des e- et des trous sont égales à ni : concentration intrinsèque
200 400 600 800 1000
1017
1014
1011
108
105
ni (cm-3)
Ge : Eg = 0,7eV
Si : Eg = 1,1eV
AsGa : Eg = 1,42eV
Ge : Eg = 0,7eV
Si : Eg = 1,1eV
AsGa : Eg = 1,42eV